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MFGChips wurde im Jahr 2002 gegründet und ist ein führender Anbieter von elektronischen Bauteilen vor Ort. MFGChips ist heute eines der angesehensten und innovativsten Unternehmen auf dem lokalen Markt. MFGChips mit Hauptsitz in Hongkong hat sich einen hervorragenden Ruf als Anbieter von herausragendem Service und der Entwicklung effizienter, umfassender globaler Lieferkettenlösungen erworben.
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Neue MOSFETs steigern die Stromverteilung
Ein neues Paar anwendungsspezifischer MOSFETs zielt auf Hochleistungs-48-V-Systeme mit verbesserter dynamischer Strombalance ab und macht eine kostspielige Spannungsanpassung überflüssig.
Um das Design von Hochleistungssystemen zu vereinfachen, wurde eine neue Serie anwendungsspezifischer 80-V- und 100-V-MOSFETs (ASFETs) eingeführt, um die dynamische Stromverteilung zwischen parallel geschalteten Geräten zu verbessern.Diese MOSFETs sind für 48-V-Motorantriebssysteme in Elektrofahrzeugen, Industriemotoren und Mobilitätsgeräten konzipiert und bewältigen eine der hartnäckigsten Herausforderungen in der Leistungselektronik – die ungleichmäßige Stromverteilung beim Schalten.
Wenn mehrere MOSFETs parallel verwendet werden, um die Stromkapazität zu erhöhen und Leitungsverluste zu reduzieren, können geringfügige Schwankungen der Schwellenspannung zu thermischer Belastung und vorzeitigem Geräteausfall führen.Um einen sicheren Betrieb zu gewährleisten, verließen sich Entwickler traditionell auf teure Geräteanpassungen oder Überspezifikationen – beides ineffiziente und kostenintensive Ansätze.
Die neu eingeführten ASFETs PSMN1R9-80SSJ (80 V) und PSMN2R3-100SSJ (100 V) bieten eine praktischere Lösung.Diese Geräte wurden für einen hervorragenden Stromausgleich entwickelt und liefern bei Ein- und Ausschaltvorgängen ein bis zu 50 % geringeres Stromdelta zwischen parallelen Einheiten (bis zu 50 A pro Gerät).Sie verfügen außerdem über ein reduziertes VGS(th)-Fenster, das auf 0,6 V min.-max. verschärft wird, was die Lastverteilungskonsistenz deutlich verbessert.
Die Hauptmerkmale sind:
Robustes 8 × 8 mm großes LFPAK88-Kupferclip-Gehäuse
Großer Betriebstemperaturbereich: –55 °C bis +175 °C
Entwickelt für anspruchsvolle Industrie- und Automobilanwendungen
Zusätzlich zu diesen Ausgleichsverbesserungen erreichen die ASFETs niedrige RDS(on)-Werte – 1,9 mΩ für die 80-V-Variante und 2,3 mΩ für die 100-V-Version – was einen höheren Wirkungsgrad und eine geringere Wärmeentwicklung in den Leistungsumwandlungsstufen ermöglicht.Zusammen bieten diese Spezifikationen den Designern einen einfachen Weg zur Erzielung einer hohen Zuverlässigkeit ohne individuelle Anpassung oder zusätzliche Screening-Schritte.
Durch die Fokussierung auf die Optimierung der Stromaufteilung statt auf die Anpassung von Schwellenwerten vereinfachen diese ASFETs von Nexperia das Schaltungsdesign, senken die Kosten und verbessern die Robustheit des Systems – entscheidende Vorteile, da Elektrifizierung und industrielle Automatisierung zu höheren Leistungsanforderungen führen.