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NTMFS4982NFT3G

Mfr# NTMFS4982NFT3G
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 26.5A SO8FL
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Mehr Informationen Erfahren Sie mehr über AMI Semiconductor / ON Semiconductor NTMFS4982NFT3G
Datenblätte NTMFS4982NFT3G.pdf

Beschreibung

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Artikelnummer NTMFS4982NFT3G
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 26.5A SO8FL
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 28499 pcs
Datenblätte NTMFS4982NFT3G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
detaillierte Beschreibung N-Channel 30V 26.5A (Ta), 207A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26.5A (Ta), 207A (Tc)

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