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70V639S15BF8

Mfr# 70V639S15BF8
Mfr. IDT (Integrated Device Technology)
Beschreibung IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA
RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Mehr Informationen Erfahren Sie mehr über IDT (Integrated Device Technology) 70V639S15BF8
Datenblätte 70V639S15BF8.pdf

Beschreibung

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Artikelnummer 70V639S15BF8
Hersteller IDT (Integrated Device Technology)
Beschreibung IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 469 pcs
Datenblätte 70V639S15BF8.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 15ns
Spannungsversorgung 3.15 V ~ 3.45 V
Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse 208-CABGA (15x15)
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 208-LFBGA
Andere Namen IDT70V639S15BF8
IDT70V639S15BF8-ND
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours)
Speichertyp Volatile
Speichergröße 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle Parallel
Speicherformat SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2.25Mb (128K x 18) Parallel 15ns 208-CABGA (15x15)
Basisteilenummer IDT70V639
Zugriffszeit 15ns

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