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PSMN1R4-40YLDX

Mfr# PSMN1R4-40YLDX
Mfr. Nexperia
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Mehr Informationen Erfahren Sie mehr über NEXPERIA PSMN1R4-40YLDX
Datenblätte PSMN1R4-40YLDX.pdf

Beschreibung

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Artikelnummer PSMN1R4-40YLDX
Hersteller Nexperia
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 40263 pcs
Datenblätte PSMN1R4-40YLDX.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse LFPAK56, Power-SO8
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max) 238W (Tc)
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Andere Namen 1727-1857-6
568-11553-6
568-11553-6-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6661pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
detaillierte Beschreibung N-Channel 40V 100A (Tc) 238W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)

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